Kailan Qualcomm inihayag ang kanyang processor, lo Snapdragon 835, nakipag-usap din tungkol sa bagong teknolohiya Quick Charge 4.0 na dapat na mapabuti ang napakahusay na Quick Charge 3.0. Sa partikular, ang Quick Charge 4.0 ay kailangang maggarantiya mas maikling oras ng pag-charge umaabot hanggang sa a 50% sa loob lamang ng 15 minuto ng pag-charge, pati na rin ang pagsasama ng ikatlong henerasyon ng teknolohiya ng INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) na may kakayahang iakma ang power na ibinibigay ng power supply habang inaangkop din ang mga temperatura at ang maximum na boltahe na sinusuportahan ng device na sinisingil.
Gaya ng nabanggit sa simula, isinasama ng processor ng Snapdragon 835 ang bagong teknolohiyang Quick Charge 4.0 sa isang peak power hanggang 27W, ngunit tila ang pamantayan sa pagsingil ay nananatili pa rin sa pinakabagong henerasyon. Sa katunayan, sa mga pagsubok na isinagawa hanggang sa kasalukuyan, sa mga smartphone na may kasiyahan sa pagsasama ng bagong Qualcomm chipset, ito Xiaomi Mi 6 yun ang kaya niyang gawin mas mahusay na gamitin ito ang potensyal ng bagong pamantayan sa pagsingil habang umabot ito sa a peak power ng 24W habang ang Samsung Galaxy S8 ay umaabot lamang sa 18W.
Tila ang mga pahayag ng Qualcomm ay hindi totoo hanggang sa puntong ito dahil ipinaalam ng kumpanya sa isang bagong press release na ang Quick Charge 4.0 magiging available sa kalagitnaan ng taong ito at makikita niyan ang liwanag gamit ang isang bagong smartphone kung saan, gayunpaman, hindi niya ibinunyag ang tiyak na paggawa at modelo. Sa anumang kaso, maganda na ang aming minamahal na Xiaomi Mi 6 ay nagbibigay sa kasalukuyang tuktok ng hanay ng maraming problema, kaya maaari ka ring maging bahagi ng mga tagahanga ng bagong hiyas na ginawa sa Xiaomi.
Ihambing at talakayin natin ito sa ating Facebook group na nakatuon sa Xiaomi Mi6. Hinihintay ka namin!
